بررسي خواص اپتيكي شيشه سيستم 2Li2O-Al2O3-SiO2-TiO در حضور آلاينده 3Cr2O

ناصر حسيني*1، محمد رضواني2، محمدصادق شاكري1
دانشجوي كارشناسي ارشد، دانشكده مكانيك، دانشگاه تبريز، گروه مهندسي مواد، تبريز، ايران
استاديار، دانشكده مكانيك، دانشگاه تبريز، گروه مهندسي مواد، تبريز، ايران
* naser_hoseini@yahoo.com
(تاريخ دريافت: 07/06/90، تاريخ پذيرش: 20/01/91)

چكيده
در اين پژوهش پس از توليد شيشه پايه 2Li2O-Al2O3-SiO2-TiO حاوي آلاينده 3 Cr2Oبه روش ذوب و ريخته گـري، تـاثير مقـاديرمختلف آلاينده بر خواص اپتيكي و اسپكتروسـكوپي شيشـه، مـورد بحـث و بررسـي قـرار گرفتـه اسـت. بـه منظـور بررسـي خـواص اسپكتروسكوپي، اپتيكي و ساختاري شيشههاي توليد شده از طيف سـنجي جـذبي مرئـي- فـرابنفش و طيـف سـنجيFT-IR اسـتفادهگرديده است. بر اين اساس، پارامترهاي اپتيكي نظير ضريب جذب، ضـريب خاموشـي، انـرژي فرمـي، بانـد ممنوعـه نـوري و انـرژي Urbach با استفاده از آناليز اسپكتروسكوپي جذبي مرئي- ماوراء بنفش محاسبه شد. با توجه به نتايج محاسبات، افزودن 5/1% 3Cr2O به شيشه پايه، موجب كاهش مقادير حجم مولي، باند ممنوعه نوري، انرژي فرمي، انرژي Urbach و افزايش مقـدار دانسـيته مـي شـود.
تغييرات مذكور را ميتوان بر اساس خاصيت دگرگونسازي يون 3+Cr تحليل و بررسي كرد.

واژههايكليدي:
شيشه ليتيوم آلومينوسيليكات، خواص اپتيكي، ضريب جذب، باند ممنوعه نوري

1-مقدمه
به دليل دو ويژگي مثبت ضريب انبساط حرارتي پايين و شـفافيتبـــالا مخصوصـــا در نـــواحي فروســـرخ شيشـــههـــاي ليتـــيمآلومينوسيليكات (LAST)، در سالهاي اخيـر ازايـن شيشـههـا در كاربردهاي مختلف استفاده شدهاست. از ديگر ويژگيهـاي ايـنشيشهها ميتوان به مقاومت شيميايي بالا در محيطهاي اسـيدي وبـازي، قابلي ت افـزايش اس تحكام و چقرمگ ي بـالا ب ا اس تفاده ازتقويتكننده فيبرهايSiC اشاره كرد [1-5].
حضور آلايندههاي فلزات واسطه و عناصر نادر خـاكي در زمينـهشيشهاي باعث ميشود تا ترازهاي الكتروني به گونهاي تغيير يافته و ويژگيهاي اسپكتروسكوپي را تحت تاثير قرار دهند. تغييـر درخواص اپتيكي و الكتروني ماده پايه در حضور اتمهاي ناخالصـيرا ميتوان بهترتيب به تغييـرات انـرژي ليگانـد اربيتـالهـايd و f فل زات واس طه و عناص ر ن ادر خ اكي نس بت داد [6-8]. از ب ين فلــزات انتقــالي يــونهــاي 3+Cr و 6+Cr تشــكيل شــده در اثــر حالتهاي اكسيداسيون مختلف عنصر كروم ميتوانند با آلاييـدهشدن در يـك زمينـه شيشـه اي مناسـب خـواص اپتيكـي خطـي وغيرخطي را به نحو منحصربهفردي تحت تاثير قرار دهند. بـر ايـناساس، وقتي كه يون كروم بصورت 3+Cr است، نقـش دگرگـونسازي را در سيستم ايفا ميكند، اما وقتي كه اين يـون بـهصـورت6+Cr شود، نقش شبكه سـازي بـا واحـدهاي سـاختاري2-4CrO را خواهد داشت [9 -10].
در اپتيك، ضريب جذب يك مـاده نشـان دهنـده ميـزان توانـاييفوتونها در تغيير ميزان انرژي الكتـرون هـا ي آن مـاده مـيباشـد .
ضريب جذب بالا بدين معني است كه باريكه نور هنگام عبـور ازمحيط مادي به آساني جذب ميشود و ضريب جذب پايين نشان ميدهد كه محيط براي باريكه نور عبـوري، نسـبتا شـفاف اسـت.
تراز فرمي، ترازي است كه احتمال حضـور الكتـرون در آن و درصفر درجه مطلق 50% ميباشد. بر اساس اينكه جذب موج نوري فرابنفش قويتر از موج نوري مرئي اسـت [11]. عمومـا در مـوادعايق و نيمه رسانا، باند ممنوعه نوري عمومـا بـه اخـتلاف انـرژي بين بخش بالايي باند ظرفيت و بخـش پـاييني بانـد هـدايت گفتـهميشود. اين بدين معني است كه الكترونهـا بـراي رهـا شـدن ازلايه ظرفيت الكتروني نياز به انرژي برابر با اخـتلاف انـرژي ذكـرشده دارند. بنابراين باند ممنوعه، فاكتوري عمومي بـراي محاسـبهرسانايي الكتريكي مواد ميباشد.
براي محاسبه خواص نوري غير خطي داشتن اطلاعـاتي در مـوردضريب جذب ضروري است [12 – 13]. بر اسـاس تئـوريTauc در برخي مواد آمورف نمودار تغييرات ضـريب جـذب برحسـبانرژي فوتون به سه بخـش قابـل تقسـيم اسـت. ناحيـه اول اغلـبمربوط به انتقالات فوتوني است و به علت انرژي كمتر نسـبت بـهباند ممنوعه، انتقالات فوتوني در آن ديـده نمـيشـود . ناحيـه دوم (ناحيه Tauc) جذب بالاي ناشي از باند ممنوعه نوري و انتقالات بين باندي است. در نهايت ناحيـه سـوم نمـودار تغييـرات ضـريبجذب بـر حسـب انـرژي فوتـونهـا، نشـان دهنـده مقـدار انـرژيUrbach و مي زان نظ م ش ب كه آم ورف م يباش د. ب هطـوركلي هرچهقدر نظم شبكه افزايش مييابد شيب اين ناحيه نيز بـه همـاننسبت افزايش مييابد. بر اساس تئوري Tauc افزايش قسمت قبل از لبه جذب روند نمايي دارد [11].
در س اليان اخيـر تحقيق ات فراوانـي ب رروي شيش ههـاي ليتيـوم آلومينوسيليكات بهعنـوان زمينـه مناسـب بـراي يـونهـاي فلـزاتانتقالي و نادر خاكي انجام شده است. در همهي موارد، يونهـايآلاييده شده خواص نوري ويژهاي مانند نيمه رسـانايي، خاصـيتفلوئورسنس در طول موج مختلف و … را در زمينـه شيشـه ايجـادكردهاند. اتصالات يونهاي فلـزي در شـبكه 2SiO، آرايـش هـايساختاري موضعي و حالتهاي اكسيدشدن مختلف، باعث ايجاد جذب و پراكنش در ناحيه مرئـي مـيشـود . در تحقيقـات پيشـينصورت گرفته، براي سيستمهاي مختلف شيشه پارامترهاي اپتيكي مختلفي مانند ثوابت نوري (ضريب شكست و ضريب خاموشي)، پراكندگي، انرژي پراكندگي و … بدست آمده است.
در تحقيق حاضر تلاش شده است تا تاثير مقادير مختلـف 3Cr2O بر خواص نوري و ساختار شيشه LAST بررسي شـود . عـلاوه بـرآلاينـده 3Cr2O، 2 درصـد 2TiO جهـت جوانـه زايـي همگـن درمرحل ه تولي د شيش هس راميك ك ه خ ارج از مباح ث اي ن مقال ه ميباشد، به تركيب پايه اضافه شده است. ايـن مقـدار 2TiO تـاثيرخيلي اندكي بر روي خواص نـوري داشـته و در تحليـل مباحـثاپتيكي شيشه، منظور نميشود.

2- مواد و روش تحقيق
با استفاده از مواد اوليه با خلـوص 99.9%، تركيـب شيشـه (wt%) 214.5Li2O-19.8Al2O3-63.7SiO2-2TiO حــــــ اوي 5/1-0% آلاين ده 3Cr2O آم اده ش د. gr50 از مخل وط م واد اولي ه ش امل
3 Si2O ،Al2O3 ،TiO2 ،Li2COو 3Cr2O پس از مخلـوط سـازيمكانيكي و همگنسازي اوليه در بوتـه آلومينـايي و بـا اسـتفاده ازكوره الكتريكي با دماي

به مدت 120 دقيقـه، ذوب شـد.
شيشه ذوب شده در قالـب فـولادي 3cm5/7*1*5/1 پـيش گـرمشده در دماي

450، ريخته گري شد. پس ازكاهش اوليـه دمـا،قالب در كوره قرار داده و شيشه تا دماي اتاق در كوره خـاموش،سرد شد. شيشههاي پوليش شده براي انـدازه گيـري هـاي اپتيكـيآماده شدند. شايان ذكر است كه دانسيته نمونـه هـاي شيشـهاي بـااستفاده از روش استاندارد ارشميدوس در دماي اتاق محاسبه شد.
از نقطــهنظــر اپتيكــي، اسپكتروســكوپي جــذبي بــا اســتفاده از
اسپكتروفوتومتر T70 UV-VIS PG instrumentsدر دماي اتـاقاندازهگيري شده و در نهايت اسپكتروسكوپي FT-IR شيشهها كه ب ا اس تفاده از روش KBr آم اده س ازي ش ده بودن د ب ا دس تگاه
.اخذ شد Bruker- TENSOR27

3-نتايج و بحث
3-1- دانسيته و حجم مولي
دانسيته نمونههاي شيشه با اسـتفاده از قـانون ارشـميدوس محاسـبهشد.

1W و 2W به ترتيب جرم نمونههاي شيشه در هوا و آب ميباشند.
حجم مولي نمونهها نيز با استفاده از رابطه (2) قابل محاسبه است.

در اين رابطه، Mi جرم مولي شيشه است كـه بـا اسـتفاده از رابطـه(3) محاسبه ميشود.
Mi= CiAi (3)

Ci و Mi به ترتيب غلظت مولي و جرم ملكولي هستند. جدول (1) دانسيته و حجم مولي شيشههـايLAST حـاوي مقـادير مختلـفآلاينده 3Cr2O را نشان ميدهد. همانطور كه مشاهده ميشود بـاافزايش درصد 3Cr2O، دانسيته شيشه افـزايش و حجـم مـولي آنكاهش مييابد. ايـن بـدين معنـي اسـت كـه شيشـههـا متـراكمتـر ميشوند. متراكم شدن شيشهها را ميتـوان بـه ماهيـت شيشـهسـاز بودن يون +3Cr نسبت داد. به نظر ميرسد كه يون +3Cr بـا ايجـاد

بررسيخواص اپتيكي شيشه سيستم 2Li2O-Al2O3-SiO2-TiO در حضور آلاينده 3Cr2O 41
س اختارهاي 5Cr2SiO در زمين ه -44SiO نق ش ت راكمبخش ي ب ه شيشه را بهخوبي ايفا ميكند.

جدول(1): خواص فيزيكي شيشههاي LAST حاوي آلاينده 3Cr2O
حجم مولي (cm3/mol) دانسيته
(g/cm3) ضخامت
(cm) نمونهها
17/82 2/61 1/2 Cr2O3% 0
17/34 2/67 1/2 Cr2O3%0/5
17/08 2/76 1/2 Cr2O3 % 1
16/93 2/84 1/2 Cr2O3 %1/5

3-2- ضرايب جذب اپتيكي
ضريب جذب با استفاده از رابطه زير محاسبه ميشود.
I=I0 exp(-αt) (4)

در اين رابطه، I شـدت نـور خروجـي، oI شـدت نـور ورودي وt ميزان ضخامت جسم بالك ميباشد. انتشار موج الكترومغناطيسي در م واد ب ه دو ثاب ـت اپتيك ي ض ـريب شكس ـت (n) و ض ـريب خاموشي (k) وابسته است. n نشان دهنده اثر فاز و k نشان دهنـدهاثر دامنه انتشار موج نوري، بر ماده است. بـا اسـتناد بـه رابطـه (4) بهراحتي مـي تـوان ضـريب خاموشـي را بـا اسـتفاده از رابطـه (5) محاسبه نمود.

كه در اين رابطـ ه، λ طـول مـوج پرتـو تابشـي در خـلا مـيباشـد .
الكترونها در مواد ميتوانند بين ترازهـاي انـرژي بـه شـكلهـايمختلف انتقال يابنـد [8]. بـالاترين انـرژي انتقـال، بـه حركـت ازقسمت پاييني باند ظرفيت، به قسمت بـالايي بانـد هـدايت در لبـهجذب مربوط است كه با استفاده از رابطه (6) قابل محاسبه است.

در اين رابطه، Eg انـرژي بانـد ممنوعـه،C سـرعت انتشـار نـور درخلا، h ثابـت پلانـك و

طـول مـوج لبـه جـذب مـيباشـد .
شــكل(1) اسپكتروســكوپي جــذبي مرئــي- فــرابنفش را بــرا ي شيشههاي LAST آلاييده شـده بـا مقـادير مختلـف 3Cr2O نشـانميدهد.
3-3- انرژي تراز فرمي
ارتباط بـين ضـريب خاموشـي و انـرژي فرمـي بـراي شيشـههـايمختلف بر اساس تابع توزيع فرمي-ديراك بهدست ميآيد.

كه در اين رابطه، EF انرژي تـراز فرمـي،

E=hc/ انـرژي فوتـونتابش ي و kBT ات لاف ان رژي گرم ايي ناشـي از ب الا رف تن دم ا ميباشـد . بنـابراينEF را مـي تـوان بـا اسـتفاده از بـرازش حـداقلمربعات رابطه (7) در طولموجهاي مختلف محاسبه نمود.

شكل(1): اسپكتروسكوپي جذبي مرئي-فرابنفش شيشههاي
LAST

جدول(2) شامل مقادير EF محاسبه شده براي شيشههاي حاوي مقادير مختلف آلاينده 3Cr2O ميباشد. بزرگ بودن مقادير EF نسبت به KBT نشان ميدهد كه شيشهها ذاتا عايق ميباشند.
3-4- باند ممنوعه نوري
مقـ دار بانـ د ممنوعـ ه نـ وري را بـ ا اسـ تفاده از رابطـ ه زيـ ر ميتوان محاسبه نمود.

كه در اين رابطه، Egopt باند ممنوعه نوري شيشه است. هـم چنـين،hν ميزان انـرژي فوتـون برخـوردي اسـت كـه بـا تغييـر فركـانس مـوج هـاي برخـوردي تغييـر مـيكنـد [8]،: β مقـداري ثابـت و نشاندهنده ثابت پسماند باند ميباشد.

جدول(2): خواص مربوط به باند ممنوعه اپتيكي براي شيشههاي LAST حاوي مقادير مختلف آلاينده 3Cr2O
Eu Ef Egopt انرژي(ev)
0/98 3/5 3/64 Cr2O3 %0
0/35 2/29 2/56 Cr2O3%0/5
0/32 2/2 2/44 Cr2O3 %1
0/29 2/16 2/39 Cr2O3%1/5

اين پارامتر، فاكتوري مستقل از دما و وابسته بـه ضـريب شكسـتنمونه است كه از رابطه زير محاسبه ميشود.

كه در ايـن رابطـه، oσ رسـانايي الكتريكـي در صـفر مطلـق وΔE پسماند حالتهاي موضعي در باند ممنوعه ميباشند [13 – 14].
جدول (2) شامل مقادير بانـد ممنوعـه نـوري شيشـههـايLAST محتـوي مقـادير مختلـف آلاينـده 3Cr2O مـيباشـد . مقـدار بانـدممنوعه نوري با افزايش مقدار آلاينده 3Cr2O كاهش مييابد كـهدلي ل آن را مـيت وان ب ه په نشـدگي ت راز ه دايت نس بت داد [15 – 16]. شيشه پايه داراي بيشترين مقدار انـرژي بانـد ممنوعـهنوري است. كـاهشEgopt بـراي شيشـه حـاوي آلاينـده بـه دليـلكاهش انرژي ميانگين پيوند ميباشد. انرژي ميانگين پيوند نيز بـهميزان كوالانسي بودن و يوني بودن پيون بستگي دارد و با كاهش ميزان پيوندهاي كوالانسي، كاهش مييابد [17- 24].
Urbach انرژي -5-3
مق دار ان رژي Urbach ب ا اس تفاده از رابط ه زي ر قاب ل محاس به ميباشد.

طبـ ق تحقيقـ ات Tauc [15] فاكتورهـ ايي ماننـ د اعوجـ اج و ارتعاشهاي حرارتي، ميدانهاي الكتريكي عيـوب شـبكهاي و …
ميتوانند باعث ايجاد انرژي پسماند در باند ممنوعه شوند كـه بـراين اساس شيب منطقه Urbach تحت تاثير قرار ميگيرد.
جدول (2) شامل مقادير انرژي Urbach شيشههاي LAST داراي مقادير مختلف آلاينده 3Cr2O ميباشد. همـان طـور كـه مشـاهده
م يش ود، ب ا اف زايش درص د 3Cr2O ان رژي Urbach ك اهش م يياب د. از آنج اييك ه مق ادير ان رژي Urbach و مي زان نظ م ساختاري شيشه نسبت معكوس با يكديگر دارند، ميتـوان نتيجـهگرفت كه افزايش ميزان آلاينده 3Cr2O ميزان نظـم سـاختاري راافزايش ميدهد. نقش شبكهسازي 3Cr2O و كاهش اكسيژنهـايغير پلساز را ميتوان دليلي بر افزايش نظم ساختاري دانست.
3-6- اسپكتروسكوپي جذبي FT-IR طي ف FT-IR اطلاع اتي در م ورد ارتع اش متق ارن و نامتقـارنخمشي، كششي و چرخشي باندهاي اتمي ميدهد. واكنش مـوجIR با نمونه باعث ميشود كه پيوند بين ملكولهـا دچـار كشـش،چرخش و يـا ارتعـاش شـوند. شـكل (2) آنـاليز اسپكتروسـكوپيFT-IR براي شيشـهLAST در حضـور مقـادير مختلـف آلاينـده
3Cr2O را نشان ميدهد. در اين طيفها سه باند مهـم وجـود داردكه نشـان دهنـدهي شـبكه سـه بعـدي بانـدهاي سـيليكوني اسـت . وج ود پي ك په ن در 1-cm1000 نش ان دهن ده ارتع اش كشش ي
نامتقارن Si – O – Si در شبكه نمونـه هـا مـي باشـد [25- 27]. در شيشــههــاي LAST، يــونهــاي 3+Al بــه جــاي 4+Si در شــبكه تتراهدرال قرار ميگيرند و درسيستم نقـش شـبكه سـازي دارنـد.
بنابراين ارتعاش نامتقارن Si – O – Alرا نيـز مـيتـوان جزئـي ازهمين باند بهحسـاب آورد. جـذب در 1-cm 719 نشـان دهنـدهي ارتعـاش كششـي متقـارن Si – O – Siاسـت و هـم چنـين پيـكمربوط به1-cm 475 نشـان دهنـده ارتعـاش كششـي O – Si – O است. البته اين پيك ميتواند نشان دهنده ارتعاش كششي متقـارنتتراهدرالهاي 4LiO نيز باشد [27].

بررسيخواص اپتيكي شيشه سيستم 2Li2O-Al2O3-SiO2-TiO در حضور آلاينده 3Cr2O 43

شكل (2): اسپكتروسكوپي FT-IR شيشههاي LAST حاوي 3Cr2O

4- نتيجهگيري
يون 3Cr2O بعنوان آلاينده تغييـرات سـاختاري و خـواص نـوريمنحصربهفردي در شيشه سيستم LAST ايجاد ميكند كـه باعـثميشود اين شيشهها در تجهيزات نـوري حسـاس و دقيـق بـهكـارب رده ش وند. ب ا اس تناد بـه نت ايج حاص ل از طي ف س نجيه ا و پارامترهاي اپتيكـي محاسـبه شـده مـيتـوان مـوارد زيـر را نتيجـهگرفت.
دانسيته شيشه با افزايش ميزان 3Cr2O كاهش مييابد و شيشـهمتراكمتر ميشود.
يون 3Cr2O به دليل ايجاد مراكز جاذب نور در شيشه، ضريب جذب و ضريب خاموشي آن را تحت تاثير قرار ميدهد.
آلاييده شدن 3Cr2O در شبكه شيشه باعث ايجاد تـراز انـرژيدر باند ممنوعه نوري ميشود و خـواص نيمـه رسـانايي بـه شيشـهميبخشد.
با توجه بـه نتـايج محاسـبات انـرژيUrbach ، افـزايش ميـزانآلاينده 3Cr2O باعث افزايش نظم ساختاري در شيشه ميشود. 5- مراجع
Yaohui Li, Kaiming Liang, Jianwei Cao, Bo Xu.
“Spectroscopy and Structural State of V4+ Ions in Lithium Aluminosilicate Glasses and Glasse-Ceramic”, J. NonCryst Solid Vol. 356, pp. 502-508, 2010.

P. Wolfgang, glasses Science Technol, p. 28, The American Ceramic Society, Westerville, OH, 2000.

W. Holand,G. Beall, glass-ceramic Technology, first ed, p. 235, The American Ceramic Society, Westerville, OH, 2004.

H. Bach, D. Krause, Low Thermal Expansion Glass- Ceramics, Secend ed, p.173, Springer-Verlog, Berlin, 2005.

K. Cheng, “Carbon Effect on Crystallization Kinetics of LAS Glsses”, journal of non-crystal solids, Vol. 238, pp.
152-157, 1998.

J.P. Xantakis, ” Electronic Structure and Band – Gap Study of Si1−xCx,”, J. Non-Cryst. Solids, Vol. 164, pp.
1019-1022, 1993.

S.Rani, S. Sanghi, A. Agarwal, V.P. Seth, “Study of Optical Band Gap and FTIR Spectroscopy of Li2O·Bi2O3·P2O5 glasses”, Spectrochim. Acta A, Vol. 74, pp. 673-677, 2009.

F. El-Diasty, A. Abdel Wahab, “Optical Band Gap Studies on Lithium Aluminum Silicate Glasses Doped With Cr3+ Ions”, J.Appl. Phys. Vol. 100, pp. 11-17, 2006.

O. Guldal and C. Apak, “A Study on Cr3+/Cr6+ Equilibria in Industrial Emerald Green Glasses”, J. Non-Cryst.Solid, Vol. 251, pp. 38-39, 1986.

G. Fuxi, D.He, and L. “Huiming, Paramagnetic Resonance Study on Transition Metal Ions in Phosphate, Fluorophosphate and Fluoride Glasses, part I: Cr3+ and Mo3+”, J. Non-Cryst.Solid, Vol. 52, pp. 135-139, 1985.

J. Tauc, Amorphous and Liquid Semicondutors, first ed.,
96, Plenum, London, 1974.

M. Abdel-Baki, F. A. Abdel Wahab, and F. El-Diasty, “Optical Characterization of xTiO2–(60 − x)SiO2–40 Na2O Glasses: I. Linear and Nonlinear dispersion properties”, Mater. Chem. Phys., Vol. 96, pp, 201, 2006.

D.Goswami, “High Sensitive Measurements of Absorption Coefficient and Optical Nonlinearities”, Opt. Commun, Vol. 158, pp. 261, 2006.

N.F. Mott, E.A. Davis, Electronic Proess in NonCrystaline Materials, 2ed, p.264, Clarendon,Oxford, 1979.

E.G. Parada, P. Gonzalez, J. Pou, J. Serra, D. Fernandez, B. Leon, M. Perez-amor, “Aging of Photochemical Vapor Deposited Silicon Oxide Thin Films”, J. Vac. Svi. Technol A, Vol. 14, pp. 436-440, 1996.

M.A. Hassan, C.A. Hogarth, “A Study of The Structural, Electrical and Optical Properties of Copper Tellurium Oxide Glasses”, J. Mater. Sci. Vol. 23, pp. 2500-2504, 1988.

V.V. Dimitrov, S.H. Kim, T. yoko, S. Sakka, “Third Harmonic Generation in PbO-SiO2 and PbO-B2O3
Glasses”, J. Ceram. Soc. Jpn. Vol. 101, pp. 59-63, 1993.

R. H. French, R. Abou-Rahme, D. J. Jones, L. E. McNeil, “Absorption Edge and Band Gap of SiO2 Fused Silica Glass”, Vol. 28, pp. 63-67, 1992.

K. Terashima, T. Hashimoto, T. Uchino, H. Kim, T.Yoko,
“Structure and Nonlinear Optical Properties of Sb 2O3B2O3 Binary Glasses”, J. Ceram. Soc. Jpn. Vol. 104, pp.1008-1014, 1996.

K. Terashima, T. Uchino, T. Hashimoto, T.Yoko,
“Structure and Nonlinear Optical Properties of BaO-TiO2B2O3 Glasses”, J. Ceram. Soc. Jpn. Vol. 105, pp. 309-313, 1997.

K. Terashima, T. Shimoto, T. Yoko, “Nonlinear Optical
Properties of B2O3-Based Glasses: PbO-Bi2O3-B2O3 Heavy Metal Oxide Glasses”, Phys. Chem. Glasse, Vol.
38, pp. 211-217, 1997.

T.S. Moss, G.J. Burrell, E. Ellis, Semiconductor Opto-Electronics, first ed., p. 124, Butterworths, London, 1973.

G.D. Cody, T.Tiedje, B. Abeles, B. Brooks, Y. Goldstein, “Disorder and the Optical-Absorption Edge of Hydrogenated Amorphous Silicon”, Phys. Rev. Lett.vol.
47, pp. 1480-1483, 1981.

B. Abay, H.S. Guder, Y.K. Yogurtchu, “Urbach– Martienssen’s Tails in Layered Semiconductor GaSe”, Solid State Commun, Vol. 112, pp. 489-494, 1999.

L. Skuja, K. Kajihara, Y. Ikuta, M.Hirano, H.Hosono, “Influence of Y2O3 on Structural and Optical Properties of SiO2–BaO–ZnO–xB2O3–(10−x) Y2O3 Glasses and Glass Ceramics”, J. Non-Cryst. Solids, Vol. 357, pp. 858-863, 2011.

J. Zarzycki, Glasses and tThe Vitreous State, first ed, p.
228, Cambridge University Press, Cambridge, NY, 1991.

H. H. Moenke, in The Infrared Spectra of Minerals, 2 ed,
365, Mineralogical Society, London, 1974.

S. Parke, the Infrared Spectra of Minerals, p. 483, New York, 2001.



قیمت: تومان


دیدگاهتان را بنویسید