بررسي ويژگيهاي ديالكتريك شيشه سراميك سيستمCaO-SiO2-MgO
در محدوده امواج مايكرويو

محبوبه كياني زيتاني*1، محمد رضواني2
دانشجوي كارشناسي ارشد، دانشكده مكانيك، دانشگاه تبريز، گروه مهندسي مواد، تبريز، ايران
دانشيار، دانشكده مكانيك، دانشگاه تبريز، تبريز، ايران
* Mahbube_kiani88@ms.tabrizu.ac.ir
(تاريخ دريافت: 19/07/1390، تاريخ پذيرش: 29/11/91)

چكيده
افزايش تقاضا براي ديالكتريكهاي با ثابت ديالكتريك و اتلاف ديالكتريك پايين (براي افزايش سـرعت سـيگنال ) در محـدودهطول موج مايكروويو منجر به افزايش روند تحقيقات در زمينه ديالكتريكهاي مايكرويو شـده اسـت. همچنـين شيشـه سـراميكهـاداراي ويژگيهاي ديالكتريك برتر از فلزات و پليمرهاي آلي هستند. در اين تحقيق سينترپذيري و ويژگيهاي ديالكتريـك شيشـهسراميك سيستم CaO-SiO2-MgO بررسي شده است. نتايج حاصل از سينترپذيري نشان داد كه ايـن تركيـب بـراي كاربردهـاي دمـاپايين (LTCC) با دماي زينترينگ C >) 800-860 oCo 1000) مناسب ميباشد. شيشه سراميك سينتر شـده در دمـايC o 860، ثابـتديالكتريك 13/6 و اتلاف 0037/0 را در محدوده 12-8 گيگاهرتز نشان داد.

واژه هايكليدي:
ثابت دي الكتريك، اتلاف دي الكتريك، شيشه سراميك بر پايه فاز آكرمانيت، دايوپسايد، ولاستونيت

1- مقدمه
شيش ه س راميكه ا گروه ي از م واد سـراميكي هس تند ك ه از ساخت تجهيزات الكترونيك، فناوري 3LTCC بـا سـرعت بـالا وجوانهزني و تبلور كنترل شده شيشه تشكيل ميشوند [1]. بـهطـورعملكرد مناسب، براي تجهيزات، زيرلايـه هـا، مـدولهـا و اجـزاءمعمول ريزساختار حاصل شـده 95-50 درصـد حجمـي، بلـوريالكترونيكي مجتمـع مـورد توجـه قـرار گرفـت. اجـزاء غيرفعـال4 است [2]. در نتيجهي پيشرفت سريع در تلفن همراه و سيستمهـاي(مانند القاگرها5 و خازنها) درميان زيرلايـه هـا تعبيـه و بـا فلـزاتارتباطــات مــاهواره اي، مــواد ديالكتريــك در فركــانس هــاي رسانا (مانند نقره و مس) در دماهـاي پـايين بطـور همزمـان سـينترمـــايكروويو گســـترش يافتنـــد [2-3]. ســـراميكهـــاي ثابـــت ميشـوند [5]. دمـاي پـايين بـدين معنـي اسـت كـه زيرلايـههـايديالكتريــك پــايين بــه عنــوان زيرلايــه1، مــدارهاي مجتمــع سـراميكي بايـد در دماهـاي كمتـر ازC ˚ 1000 بـه منظـور سـينترم ايكرويو2 اس تفاده م يش وند [4]. از مي ان روشه اي مختل ف دوباره بـا مـس (C˚ 1083) ، نقـره (C˚ 961) و طـلا (C˚ 1061) سينتر شوند [6-9]. بهطور كلي مواد LTCC در دو گـروه تقسـيمسيستم نامبرده در بين سيستمهاي مشهور ديالكتريك از كمترين بن دي مـيش وند: مـواد زيرلاي ه ب ا ثاب ت دي الكتري ك پ ايين اتــلاف ديالكتريــك برخــوردار اســت [12]. در ســال 2009، (10<ε r ) و مواد مورد استفاده در خازن كه ثابـت دي الكتريـكM.Chang و همك ارانش تركيب ات مختل ف سيس تم ف وق را در متوســط يــا بــالايي دارنــد. بــه علــت كنتــرل آســان خــواص دماي C8700 سينتر كردند. فـاز دايوپسـايد بـه عنـوان فـاز اصـلي
ديالكتريك و استحكام مكانيكي عـا لي، شيشـه سـراميكهـا بـهعنوان زيرلايههاي سراميكي چند منظـوره بـا ثابـت ديالكتريـكپ ايين، اس تحكام ب الا و ض ريب انبس اط حرارت ي پ ايين اس تفاده مـ يشـ وند [10-11]. سيسـ تمهـ اي2MgO- ،CaO-B2O3-SiO
2CaO-Al2O3-SiO2، Al2O3-SiO و2CaO-MgO-SiO مهمترين شيشه سراميكهاي گزارش شده با ثابت ديالكتريك پايين براي كاربرده اي LTCC هسـتند [12]. در س ال 2008 Ch.Chiang و همك ارانش تركيب ات مختلـف سيس تم 2CaO-B2O3-SiO را در محدوده دمايي C7500 تا C12600 سينتر نمودند. در فركـانس 10 گيگاهرتز ثابت ديالكتريـك در دو گـروه 5-4 و 8-7 گـزارششد. اتلاف ديالكتريك همه نمونهها زير 005/0 بـود [13]. Zhu و همكارانش در سـال 2009 تركيبـات ي از سيسـتم نـام بـرده را بـ ه همـراه افزودنـيهـايP2O5 + ZnO و 2ZrO2 + TiO و 3B2O در دمايC 8200 و C9000 سينتر كردند. شيشه سراميكهـاي بدسـتآمده خواص مكانيكي بهتري داشتند، امـا خـواص ديالكتريـكنامناسبي از خود نشـان دادنـد. در فركـانس 10 گيگـاهرتز ، ثابـت ديالكتريــك 51/6 و 07/7 و اتــلاف ديالكتريــك 0029/0 و 0019/0 گ زارش ش د [14]. شيش ه سـراميكهـاي ب ر پاي ه ف از
كوردريت6(2(2MgO.2Al2O3.5SiO به دليل ثابت ديالكتريك پـ ايين و ضـ ريب انبسـ اط حرارتـ ي پـ ايين بـ راي كاربردهـ اي الكترونيكي مناسـب مـي باشـند، امـا در فرآينـد سـاخت بـه روشذوب نيــاز بــه دمــاي بــالايي (C˚1600 ≥ ) دارنــد. بــه علــت ويســكوزيته بــالاي فــاز آمــورف و محــدوده باريــك دمــاي سينترينگ، بدست آوردن شيشه سـراميك هـاي چگـال بـا دمـايعمليات حرارتي كمتر از C˚1000 مشكل است [15].
شيش ه س راميك سيس تم 2CaO-MgO-SiO ني ز ب ه عن وان يك ي ديگر از سيستمهاي شيشه سراميكي با ثابت ديالكتريك پـايين وويژگيهاي ديالكتريـك خـوب شـناخته شـده اسـت [10و16]. تبلور يافت. ثابت ديالكتريك براي همه نمونههـا در 1 مگـاهرتزدر محدوده 1/8-2/7 و اتـلاف دي الكتريـك كمتـر از 0015/0 بود [12]. در سـال 2009، H.Wang و همكـارانش بـ ا اسـتفاده ازروش سل- ژل در سيستم فوق به ثابت ديالكتريك 16/7 دست يافتند [16]. باتوجـه بـه اينكـه ويژگـيهـاي دي الكتريـك شيشـهسراميكهاي آكرمـانيتي چنـدان بررسـي نشـده، در ايـن تحقيـقتلاش شده اس ت ويژگيهاي ديالكتريك شيشه سراميك سيستم 2CaO-MgO-SiO بر پايه فاز آكرمانيت با دماي ذوب و دماهـايسينترينگ پايين، مورد بررسي قرار گيرد.

مواد و روش تحقيق
تركيـــــــــــ ب شيشـــــــــــ ه پايـــــــــــ ه بصـــــــــــ ورت 36%CaO-48%SiO2-16%MgO (wt%) انتخاب شد. به منظور بررســي ويژگــي هــاي ديالكتريــك شيشــه ســراميك سيســتم 2CaO-MgO-SiO بر پايه فاز آكرمانيت، تركيب انتخاب شده در نمودار سه فازي 2CaO-MgO-SiO در منطقـه فـازي آكرمانيـت قرار دارد. همچنـين تركيـب انتخـاب شـده بـه خطـوط دمـايي بـادماهاي پايين نزديك است. با استفاده از مواد اوليه مصرفي شامل سيليس، كربنات كلسيم و هيدروكسيد منيـزيم بـا خلـوص بـالاي5/99% بچ تركيب فوق، بـراي ذوب در بوتـهي زيركنـ ي، تـوزينش د. تركي ب در دم اي Co 1400 ب ا ن رخ 1-C mino 10 و زم ان نگه داري 1 س اعت ذوب، و در آب س رد ك وئنچ ش د. فري ت بدست آمده به مـدت 2 سـاعت در خشـك كـن قـرار داده شـد،سپس با استفاده از هاون برقي به مدت 45 دقيقـه آسـياب شـده وبه اندازه دانه زير 63 ميكرون تبديل شد. به منظـور بررسـي رفتـارتبلـــــــور از آنـــــــاليز حرارتـــــــي افتراقـــــــي دســـــــتگاه Pyris TG/DTA, Perkin Elmer استفاده شد. نمونههاي قرصـيشكل با قطر mm 22 و ضخامت mm 4 با استفاده از روش پـرسب ا فش ار MPa 30 ش كل داده ش دند. دماه اي مختل ف عملي ات حرارتي با نرخ 1-C mino 10 و زمان نگهداري 1 سـا عت انتخـاب شدند. به منظور بررسي سينترپذيري شيشه سراميكهـاي بدسـتآمده، دانسيته، انقباض، جذب آب و درصد تخلخل نمونـه هـا بـهروش ارش ميدس و دانس يته پيكن ومتري ان دازهگي ري ش د. ن وع فازهاي بلورين با استفاده از نتايج بدست آمده توسط پـراشسـنجSiemens D500, Germany شناسـ ايي شـ ـدند. در نهايـ ت ويژگ يه اي ديالكتري ك ب ا اس تفاده از دس تگاه Network
Analyzers, 8757D محص ول ش ركت Agilent ان دازهگي ري شدند.
نتايج و بحث
شـــــــــكل (1) آنـــــــــاليز حرارتـــــــــيDTA شيشـــــــــه
.را نشان ميدهد 36%CaO-48%SiO2-16%MgO

شكل(1): آناليز حرارتي DTA شيشهي 2CaO-MgO-SiO

بررسي ويژگيهاي ديالكتريك شيشه سراميك سيستم CaO-SiO2-MgO در محدوده امواج مايكرويو 55
با استناد به منحني DTA دماي بيشـينه تبلـورC ،Tp o 855 بدسـت آمده است. با توجه به نتيجه بدست آمـده از شـكل (1)، دماهـاي Co 800 ، 830 و 860 بـا فاصـله دم اييC o30 بـه عنـوان دماه ايعمليات حرارتي با مدت زمان نگهداري 1 ساعت در نظـر گرفتـهشد. شكل (2) الگوي پراش اشعه ايكس XRD نمونههـاي تبلـوريافتـه در دماه اي مختلـف را نش ان مـيده د. همـان ط ور ك ه در الگوي XRD شيشهي سيستم نامبـرده مشـاهده مـيشـود بـهطـوركام ل آم ورف م يباش د و ه يچ پي ك تبل وري در آن مش اهده نم يش ود. همچن ين در دم اي Co800 ني ز الگ وي XRD حال ت آمورف را نشان ميدهد اما الگوي XRD ايـن دمـا در زاويـهθ 2 حدود 31 درجه، نشان دهنده تغييراتي مبني بر تبلور فـازي اسـتكه افزايش دما نيز اين تغييرات را اثبات ميكند. همـان طـور كـهدر الگوي XRD دماي Co830 مشاهده ميشود، با افـزايش دمـا، تبلور فازي در شيشه رخ ميدهد. در نتيجه آن فازهاي آكرمانيت
(2CaO.2SiO2.MgO)، دايوپســــــ ايد (CaO.2SiO2.MgO) و ولاستونيت (2(CaO.SiO در ايـن دمـا بـا اسـتفاده ازCCD Card (4822-270-10,2390-680-10,7770-880-10) شناسايي شدند.
فاز آكرمانيـت شـدت بيشـتري نسـبت بـه دو فـاز ديگـر دارد. بـاافزايش دما تا Co860 شدت پيكهاي تبلور افزايش يافت.
ب ه منظ ور بررسـي س ينترپذيري شيش ه س راميكه اي عملي ات حرارت ي ش ده، دانس يته بال ك، انقب اض، ج ذب آب و تخلخ ل نمونهها به روش ارشميدس و دانسيته پيكنومتري اندازهگيري شد.
همانطور كه در جدول (1) مشاهده مـي شـود بـا افـزايش دمـا از Co800 تا Co860 دانسيته نسبي و انقباض، ابتـدا كـاهش و سـپسافزايش مييابد. در طي سينترينگ نمونـه هـاي فريـت شـكل دادهشده، سطح ويژه و انرژي سطحي كـاهش مـييابـد . بـهعبـارتي در عمليات حرارتي شيشه سراميكها دو فرآيند سـينترينگ و تبلـورهمزمان رخ ميدهد. امـا تبلـور در طـي عمليـات حرارتـي سـببكاهش سرعت سينترينگ مـي شـود [17-18]. بـه همـين دليـل بـاافزايش دما از Co800 ، افزايش تبلور سـبب افـزايش ويسـكوزيتهفاز آمورف شده و بنابراين دانسيته نسبي و انقباض خطي كـاهشمييابد. دماي Co860 بيشترين دانسيته نسبي، انقبـاض و كمتـرينمقدار تخلخل بسته را نشان ميدهد. اين امـر بيـانگر كامـل شـدن فرآيند سينترينگ در اين دما است.
در نتيجه نمونه عمليات حرارتي شده در دمـايC o860 بـه عنـواننمونه بهينه با ويژگيهاي فيزيكي مناسب انتخاب ميشود.
ب ه منظ ور بررسـي ويژگ يهـاي ديالكتري ك، نمون هي شيش ه سراميك با ابعاد mm 7 × 6/10 × 8/22 بـا فشـارMPa 30 پـرسش د. ب ا اس تفاده از دس تگاه Network Analyzers در مح دوده GHz 12-8 (بانــد x)، ثابــت ديالكتريــك و تانژانــت تلفــات نمونــههــا انــدازهگيــري شــدند . بــا اســتفاده از روش مــوج بــر7

اندازهگيري ويژگيهاي ديالكتريك نمونه شيشه سراميك انجام قطعات ديالكتريك آماده سازي شده را نشان ميدهد.
ش د. ش كل (3) نمون هاي از م وج ب ر مح دوده بان د x ب ه هم راه

o
شكل (2): الگوي پراش اشعه ايكس (XRD ) نمونههاي عمليات حرارتي شده در دماهاي C 800، 830 و 860 و زمان نگهداري 1 ساعت

جدول(1): ويژگيهاي فيزيكي نمونههاي عمليات حرارتي شده در دماهاي مختلف
نمونهها درصد انقباض دانسيته بالك (3(gr/Cm درصد تخلخل باز دانسيته نسبي درصد تخلخل بسته
800 oC 13/52 2/94 0/00 0/88 12
830 oC 12/16 2/93 0/00 0/79 21
860 oC 14/30 3/00 0/00 0/96 4

3223260-1115

3863401304038

اساس اندازه گيري به روش موج بر، تبديل پارامترهاي S به ثابت ديالكتريك به شـكل عـدد مخـتلط مـيباشـد . پارامترهـايS بـهشكل 11S و 21S به ترتيب سيگنالهاي بازتابيده و عبوري هسـتند .
با استفاده از روابـط (1) تـا (6) ثابـت دي الكتريـ ك نمونـه شيشـهسراميك به شكل عدد مختلط محاسبه گرديد [19].
شكل (3): نمونهاي از موج بر باند x با قطعات ديالكتريك آماده سازي شده (١) 11K =

SS
2

بررسي ويژگيهاي ديالكتريك شيشه سراميك سيستم CaO-SiO2-MgO در محدوده امواج مايكرويو 57

Γ=κ± κ2 −1

413004-401998

T= S11 +S21 −Γ
1−(S11 +S21)Γ

X =⎛⎜1

+Γ⎞⎟2 (٤)
⎝1−Γ⎠

48310875022

y=⎧⎨ c Ln⎛⎜ 1 ⎞⎟⎫⎬2 (۵)
⎩ωd⎝T ⎠⎭

εr =y
x

y

x

(۶)

كه d ضخامت نمونه، c سـرعت نـور در فضـاي آزاد، ω سـرعتزاويهاي و ε r ثابت ديالكتريك ماده است.
بــراي نمونــه عمليــات حرارتــي شــده در دمــايC o860 ثابــت ديالكتريك در محدوده فركانس GHz 12-8 (باند x) به شـ كل عدد مختلط ε r = 6/13-0/023i حاصل شد. بخش حقيقـي عـددمختلط به عنوان ثابت دي الكتريك و نسـبت بخـش موهـومي بـهحقيقي را اتلاف ديالكتريك مينامند. با توجه بـه عـدد مخـتلطبدست آمـده ثابـت دي الكتريـك 13/6 و اتـلاف دي الكتريـك0037/0 حاص ل ش د. واك نش ديالكتري ك ت ابع پيچي دهاي از فرك ـانس، دم ـا و ن ـوع جام ـد اس ـت. تح ـت ش ـرايطDC ، هم ه سازوكارها عملي هستند و ثابت ديالكتريك در حـداكثر مقـداراست. با افزايش فركانس سازوكارهاي مختلف قادر نخواهند بود از ميدان تبعيت كننـد و ثابـت ديالكتريـك افـت مـيكنـد [20].
سازوكارهاي پلاريزاسيون در محدوده فركانسهـاي مختلـف درماده ايجاد ميشوند. به همين دليل كاهش ثابـت ديالكتريـك بـاافزايش فركانس در محـدوده وسـيعي از فركـانس رخ مـيدهـد .
پلاريزاسيون الكتروني تا فركانس Hz 1015 و پلاريزاسيون يـونيتقريبـاً ت ا فركـانس Hz1013 رخ م يدهـد بن ابراين در مح دودهفرك انس GHz 12-8 (بانـد x) پلاريزاسـيون الكترونـي و ي ونيسازوكارهاي مؤثر بـر ثابـت ديالكتريـك هسـتند [21]. در ايـنمحــدوده فركــانس تغييــر ناگهــاني ســازوكار پلاريزاســيون رخ نميدهد، در نتيجه تغيير محسوسي در ثابت ديالكتريك بوجـودنميآيد. ثابت ديالكتريك و اتلاف ديالكتريـك انـدازهگيـريشده براي نمونـه عمليـات حرارتـي شـده در دمـايC o860 بـرايتمامي فركـانس هـاي محـدودهGHz 12-8 (بانـدx ) بـا تغييـراتبسيار ناچيزي به ترتيـب 13/6 و 0037/0 بدسـت آمـد. در شيشـهسراميكها، تركيب شيميايي شيشـه پايـه، مقـدار و نـوع فازهـايبلورين تشكيل شده و ريزسـاخت ار (ابعـاد و شـكل ذرات بلـورين،نوع آرايش آنهـا، مقـدار تخلخـل…) تعيـين كننـده ويژگـيهـاينهايي قطعه خواهد بود. همچنين اين عوامل بر ثابت ديالكتريك نمونه نيز مؤثر خواهند بود [10-23]. ثابت ديالكتريك و اتـلافديالكتري ك بدس ت آم ده در نمون ه ب ه تركي ب شيش ه پاي ه وفازهاي تبلور يافتـ ه وابسـته اسـت. فازهـاي تبلـور يافتـه در نمونـه
عمليـات حرارت ي ش ده در دم ايC o 860 فازه اي آكرماني ت، دايوپسايد و ولاستونيت هستند كـه فـاز عمـده تشـكيل شـده فـازآكرمانيت است. بنابراين ويژگيهاي اندازهگيري شـده در نتيجـهتبلور فاز آكرمانيت در نمونه ميباشد.

4- نتيجهگيري
شيشه سـراميك 36%CaO-48%SiO2-16%MgO بـا دمـايذوب پــ ايين Co 1400 و دمــ اي عمليــ ات حرارتــ ي Co 860 (> Co1000) نشــان داد كــه بــراي تكنولــوژيLTCC مناســب ميباشد.
بيشترين دانسيته نسبي در دماي Co 860 بدست آمد.
ثابــت ديالكتريــك 13/6 و اتــلاف ديالكتريــك 0037/0 بدست آمده در اين تحقيـق نشـان مـيدهـد كـه شيشـه سـراميك36%CaO-48%SiO2-16%MgO بـراي كاربردهـاي الكتريكـي
مناســـب اســـت و نســـبت بـــه تحقيقـــات پيشـــين در سيســـتم 2CaO-MgO-SiO، ثابت ديالكتريك پايينتري بهدست آمد در نتيجه ويژگيهاي ديالكتريك بهبود يافته است.
از اين پژوهش ميتوان نتيجـه گرفـت كـه فـاز آكرمانيـت بـهعن وان ف ازي ب ا ويژگ يه اي ديالكتري ك خ وب يعن ي ثاب ت ديالكتريك و اتلاف ديالكتريك پايين است.

مراجع
W.Holand and G. Beal, “Glass Ceramic Technology”, pp. 15-25, The American Ceramic Society, Westerville, Ohio 43081, 2000.

E. Le Bourhis, “Glass / Mechanics and Technology”, pp. 76-78, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,
Weinheim, 2007.

Dong Kyun Yim, “Microwave Dielectric Properties and Low-Temperature Sintering of Ba3Ti4Nb4O21Ceramics with B2O3 and CuO Additions”, Journal of the European Ceramic Society, Vol. 27, pp. 3053-3057, 2007.

M. T. Sebastian, “Dielectric Materials for Wireless Communication”, pp. 1 and 11-13, Elsevier, Oxford, UK, 2008.

R. Wang et al, “CaF2–AlF3–SiO2 Glass-Ceramic with Low Dielectric Constant for LTCC Application”, Journal of Alloys and Compounds, Vol. 490, pp. 204-207, 2010.

S. George and M. T. Sebastian, “Novel Low Loss, Low Permittivity Glass–Ceramic Composites for LTCC Applications”, International Journal of Applied Ceramic Technology, Vol. 8, No. 1, pp. 172-179, 2011.

Z. Yue et al, “Low-Temperature Sinterable Cordierite Glass-Ceramics for High-Frequency Multilayer Chip Inductors”, Journal of Materials Science Letters, Vol. 19, pp. 213-215, 2000.

S. George and M. Th. Sebastian, “Effect of Lithium-Based Glass Addition on the Microwave Dielectric Properties of
Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ Ceramics for LTCC Applications”, Journal of Alloys and Compounds, Vol. 473, pp. 336-340, 2009.

M. Ohashi et al, “Microwave Dielectric Properties of Low-Temperature Sintered Li3AlB2O6 Ceramic”, Journal of the European Ceramic Society, Vol. 25, pp. 2877-2881, 2005.

J. Kim et al, “Thermal and Dielectric Properties of GlassCeramics Sintered Based on Diopside and Anorthite Composition”, J Electroceram, Vol. 23, pp. 209-213, 2009.

K. M. Nair et al, “Dielectric Materials and Device”, pp. 492-494, The American Ceramic Society, Westerville, Ohio 43081, 2002.

M. W. Chang et al, “Properties of Glasses Based on the CaO–MgO–SiO2 System for Low-Temperature Co-Fired Ceramic”, Ceramics International, Vol. 35, pp. 2513-2515.

C. Chiang, “Densification and Micriwave Dielectric Properties of CaO-B2O3-SiO2 System Glass-Ceramics”, Ceramics International, Vol. 34, pp. 599-604, 2008.

H. Zhu et al, “Low Temperature Sintering and Properties of CaO-B2O3-SiO2 System Glass Ceramics for Composite”, Vol. 482, pp. 272-275, 2009.

G. H. Chen and X. Y. Liu, Sintering, “Crystallization and Properties of MgO-Al2O3-SiO2 System Glass-Ceramics Containing ZnO”, Journal of Alloys and Compounds, Vol.
431, pp. 282-286, 2007.

H. P. Wang, “Synthesis and Microwave Dielectric Properties of CaO–MgO–SiO2 Submicron Powders Doped with Li2O–Bi2O3 by sol–gel Method”, Materials Research Bulletin, Vol. 44, pp. 619-622, 2009.

M.O.Prdo et al, “On The Sinterability Of Crystallizing Glass Powders”, Journal of Non-Crystalline Solids, Vol.
354, pp. 4589–4597, 2008.

A. Karamanov and M. Peliono, “Sinter-Crystallization in the Diopside- Albite System part І. Formation of Induced Crystallization Porosity”, Journal of the European Ceramic Society, Vol. 26, pp. 2511-2517, 2006.

A.L.Paula, M.C.Rezende and J.J.Barroso, “Experimental Measurements And Numerical Simulation Of Permittivity And Permeability Of Teflon In X Band”, J. Aerosp.Technol. Manag., São José dos Campos, Vol.3, No.1, pp. 59-64, 2011.

Y. Shimada, Y. Yamashita & H. Takamizawa, “Low
Dielectric Constant Multilayer Glass- Ceramic Substrate with Ag-Pd Wiring for VLSI Package”, IEEE Transactions On Components, Hybrids. and Manufacturing Technology, Vol. 11, NO. 1, pp. 163-170, 1988.

M. W. Barsoum, “Fundamentals of Ceramics”, pp.
465-484, IOP Publishing Ltd, UK, 2003.

M. S. Jogad, “Dielectric Measurement on Magnesium Aluminum Silicate Glass–Ceramics Prepared by Different Routes”, Materials Letters, Vol. 57, pp. 619-627, 2002.

F.M. Bertan et al, “Extruded ZrSiO4 ParticulateReinforced LZSA Glass–Ceramics Matrix Composite”, Journal of Materials Proseccing Technolory, Vol. 29, pp.
1134-1142, 2009.

6- پينوشت

Substrate
Microwave Integrated Circuits (MIC)
Low Temperature Co-fired Ceramic
Passive
Inductors
Cordierite
Waveguide



قیمت: تومان


دیدگاهتان را بنویسید